机译:质子诱导K-shell电离截面,用于ECpssR理论中的各种元素(4≤Z≤92)和更新的实验数据
机译:在ECPSSR理论和更新的实验数据中,质子诱导的K-壳电离截面涉及多种元素(4?≤?
机译:修正的ECPSSR理论和更新的实验数据中质子碰撞产生的L X射线产生和电离截面的三维(Z依赖性)集体和个体半经验公式:综述
机译:质子撞击从_4Be到_(92)U的元素的经验K壳电离截面
机译:Z = 39-42的元素上低能质子的L子壳电离截面
机译:减少质子诱导的L子壳截面测量中的系统误差。
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:在ECPSSR理论和更新的实验数据中,质子诱导的K壳电离截面适用于多种元素(4≤Z≤92)